Транзисторлор кичирейтүү улантылып жаткандыктан, алар ток өткөрүүчү каналдар барган сайын кууш болуп баратат, бул жогорку электрондук кыймылдуу материалдарды улантууну талап кылат. Молибден дисульфиди сыяктуу эки өлчөмдүү материалдар электрондордун жогорку мобилдүүлүгү үчүн идеалдуу, бирок металл зымдары менен бири-бирине туташтырылганда контакт интерфейсинде Шоттки тосмосу пайда болот, бул заряддын агымына тоскоол болгон көрүнүш.
2021-жылдын май айында Массачусетс технологиялык институту жетектеген жана TSMC жана башкалар катышкан биргелешкен изилдөө тобу жарым металл висмутту эки материалдын ортосундагы туура жайгаштыруу менен айкалыштыруу зым менен аппараттын ортосундагы контакт каршылыгын азайтышы мүмкүн экенин тастыктады. , ошону менен бул көйгөйдү жоюу. , 1 нанометрден төмөн жарым өткөргүчтөрдүн оор кыйынчылыктарга жетүү үчүн жардам берет.
MIT командасы эки өлчөмдүү материалда жарымметалдык висмут менен электроддорду айкалыштыруу каршылыкты бир топ азайтып, өткөрүү тогун жогорулата аларын аныкташкан. Андан кийин TSMCнын техникалык изилдөө бөлүмү висмуттун тундурма процессин оптималдаштырды. Акыр-аягы, Тайвань Улуттук университетинин командасы компонент каналын нанометр өлчөмүнө чейин ийгиликтүү азайтуу үчүн "гелий-ион нурунун литография системасын" колдонду.
Висмутту контакт электродунун негизги структурасы катары колдонгондон кийин, эки өлчөмдүү материалдык транзистордун иштеши кремнийге негизделген жарым өткөргүчтөр менен гана салыштырылбастан, ошондой эле учурдагы негизги кремнийге негизделген процесс технологиясы менен шайкеш келет, бул келечекте Мур мыйзамынын чегин бузуп. Бул технологиялык ачылыш өнөр жайга кирген эки өлчөмдүү жарым өткөргүчтөрдүн негизги көйгөйүн чечет жана интегралдык микросхемалардын Мурдан кийинки доордо алга жылышын улантуу үчүн маанилүү этап болуп саналат.
Мындан тышкары, көбүрөөк жаңы материалдардын ачылышын тездетүү үчүн жаңы алгоритмдерди иштеп чыгуу үчүн эсептөөчү материал таанууну колдонуу да материалдардын учурдагы өнүгүүсүндөгү ысык чекит болуп саналат. Мисалы, 2021-жылдын январында АКШнын Энергетика министрлигинин Эймс лабораториясы "Natural Computing Science" журналында "Күкүк издөө" алгоритми боюнча макала жарыялаган. Бул жаңы алгоритм жогорку энтропиялык эритмелерди издей алат. жумадан секундага чейин убакыт. Америка Кошмо Штаттарынын Sandia Улуттук Лабораториясы тарабынан иштелип чыккан машина үйрөнүү алгоритми жөнөкөй ыкмаларга караганда 40 000 эсе тезирээк болуп, материалдар технологиясын долбоорлоо циклин дээрлик бир жылга кыскартат. 2021-жылдын апрель айында Улуу Британиянын Ливерпуль университетинин изилдөөчүлөрү 8 күндүн ичинде химиялык реакциянын жолдорун өз алдынча долбоорлой алган, 688 экспериментти бүтүргөн жана полимерлердин фотокаталитикалык натыйжалуулугун жакшыртуу үчүн эффективдүү катализатор таба алган роботту иштеп чыгышкан.
Аны кол менен жасоого айлар керектелет. Осака университети, Япония, окутуу маалымат базасы катары 1200 фотоэлектрдик клетканын материалдарын колдонуп, машина үйрөнүү алгоритмдери аркылуу полимердик материалдардын түзүлүшү менен фотоэлектрдик индукциянын ортосундагы байланышты изилдеп, 1 мүнөттүн ичинде потенциалдуу колдонулушу бар кошулмалардын структурасын ийгиликтүү текшерип чыкты. Салттуу ыкмалар 5 жылдан 6 жылга чейин талап кылынат.
Посттун убактысы: 11-август-2022