Америка Кошмо Штаттары микросхемалардын жылытылышын басуу үчүн жогорку жылуулук өткөргүчтүү жарым өткөргүч материалдарды иштеп чыгат.
Чиптеги транзисторлордун санынын көбөйүшү менен компьютердин эсептөө көрсөткүчтөрү жакшырып баратат, бирок жогорку тыгыздык дагы көптөгөн ысык чекиттерди жаратат.
Жылуулукту башкаруунун туура технологиясы болбосо, процессордун иштөө ылдамдыгын басаңдатуудан жана ишенимдүүлүгүн төмөндөтүүдөн тышкары, ашыкча ысып кетүүнүн алдын алат жана кошумча энергияны талап кылып, энергиянын үнөмсүздүгүнө байланыштуу көйгөйлөрдү жаратат.Бул көйгөйдү чечүү үчүн Лос-Анджелестеги Калифорния университети 2018-жылы өтө жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүккө ээ болгон жаңы жарым өткөргүч материалды иштеп чыкты, ал кемчиликсиз бор арсениди жана бор фосфидинен турат, ал учурдагы жылуулук таркатуучу материалдарга окшош. алмаз жана кремний карбиди.катышы, жылуулук өткөрүмдүүлүк 3 эседен ашык.
2021-жылдын июнь айында Калифорния университети, Лос-Анджелес жаңы жарым өткөргүч материалдарын жогорку кубаттуулуктагы компьютердик чиптер менен айкалыштыруу үчүн микросхемалардын жылуулукту ийгиликтүү басуу үчүн колдонду, ошону менен компьютердин иштешин жакшыртты.Изилдөө тобу жылуулук таркатуучу эффектти жакшыртуу үчүн бор арсениди жарым өткөргүчүн чип менен жылуулук раковинанын ортосуна киргизип, жылуулукту таратуучу эффектти жакшыртуу үчүн жылуулукту кабыл алгыч менен чиптин айкалышы катары киргизип, иш жүзүндө аппараттын жылуулук башкаруу көрсөткүчтөрү боюнча изилдөө жүргүзүштү.
Бор арсенидинин субстратын кең энергетикалык боштук галлий нитридинин жарым өткөргүчүнө туташтыргандан кийин, галлий нитриди/бор арсениди интерфейсинин жылуулук өткөрүмдүүлүгү 250 МВт/м2К чейин жогору экендиги жана интерфейстин жылуулук каршылыгы өтө кичинекей деңгээлге жеткени тастыкталды.Бор арсенидинин субстраты андан ары алюминий галлий нитриди / галий нитридинен турган өнүккөн жогорку электрондук мобилдүүлүктөгү транзистордук чип менен айкалыштырылган жана жылуулукту чачуу эффектиси алмаз же кремний карбидине караганда бир топ жакшы экени тастыкталган.
Изилдөө тобу чипти максималдуу кубаттуулукта иштетип, ысык жерди бөлмө температурасынан эң жогорку температурага чейин өлчөгөн.Эксперименталдык натыйжалар алмаздан жасалган жылуулук раковинанын температурасы 137°C, кремний карбиди 167°C, бор арсениди 87°C гана экенин көрсөтүп турат.Бул интерфейстин эң сонун жылуулук өткөрүмдүүлүгү бор арсенидинин уникалдуу фонетикалык тилке түзүлүшүнөн жана интерфейстин интеграциясынан келип чыгат.Бор арсениди материалы жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүккө гана ээ болбостон, ошондой эле кичинекей интерфейстин жылуулук каршылыгына ээ.
Бул аппараттын иштөө кубаттуулугун жогорулатуу үчүн жылуулук раковина катары колдонсо болот.Келечекте шаар аралык, жогорку сыйымдуулуктагы зымсыз байланышта колдонулушу күтүлүүдө.Бул жогорку жыштыктагы электр электроника же электрондук кутулоо тармагында колдонулушу мүмкүн.
Посттун убактысы: 08-август-2022